如言

他就是一個開關(guān)，非通即斷，如何控制他的通還是斷，就是靠的是柵源極的電壓，當(dāng)柵源極加+12V（大于6V，一般取12V到15V）時IGBT導(dǎo)通，柵源極不加電壓或者是加負(fù)壓時，IGBT關(guān)斷，加負(fù)壓就是為了可靠關(guān)斷。

他沒有放大電壓的功能，導(dǎo)通時可以看做導(dǎo)線，斷開時當(dāng)做開路。

IGBT有三個端子，分別是G，D，S，在G和S兩端加上電壓后，內(nèi)部的電子發(fā)生轉(zhuǎn)移（半導(dǎo)體材料的特點(diǎn)，這也是為什么用半導(dǎo)體材料做電力電子開關(guān)的原因），本來是正離子和負(fù)離子一一對應(yīng)，半導(dǎo)體材料呈中性，但是加上電壓后，電子在電壓的作用下，累積到一邊，形成了一層導(dǎo)電溝道，因?yàn)殡娮邮强梢詫?dǎo)電的，變成了導(dǎo)體。如果撤掉加在GS兩端的電壓，這層導(dǎo)電的溝道就消失了，就不可以導(dǎo)電了，變成了絕緣體。

特米克

答：IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。

例如：我們生產(chǎn)電焊機(jī)就要用 還用現(xiàn)在的電動汽車 高鐵的機(jī)車牽引 功率變頻器就是控制電機(jī)轉(zhuǎn)速的 還有UPS電源等都要用的。

garris

樓上說的基本對。但是對于內(nèi)部結(jié)構(gòu)，不僅僅是加電壓產(chǎn)生導(dǎo)電溝道這么簡單，但是這么說也對，就不是很全面。應(yīng)該把IGBT由mos和晶體管的等效組合說原理比較合理些。

淚珠珊瑚魚

用于中高容量功率場合，如切換式電源供應(yīng)器、馬達(dá)控制與電磁爐。

電聯(lián)車或電動車輛之馬達(dá)驅(qū)動器、變頻冷氣、變頻冰箱，甚至是大瓦特輸出音響放大器的音源驅(qū)動元件。

IGBT特點(diǎn)在于可以大功率場合可以快速做切換動作，因此通常應(yīng)用方面都配合脈沖寬度調(diào)變（Pulse Width Molation,PWM）與低通濾波器（Low-pass Filters）。

由于半導(dǎo)體元件技術(shù)的精進(jìn)，半導(dǎo)體原料品質(zhì)的提升，IGBT單價價格越來越便宜，其應(yīng)用范圍更貼近家用產(chǎn)品范圍，不再只是高功率級的電力系統(tǒng)應(yīng)用范疇。

如電動車輛與混合動力車的馬達(dá)驅(qū)動器便是使用IGBT元件，豐田汽車第二代混合動力車Prius II便使用50kw IGBT模組變頻器控制兩組交流馬達(dá)/發(fā)電機(jī) 以便與直流電池組作電力能量之間的轉(zhuǎn)換。

擴(kuò)展資料：

IGBT的阻斷與閂鎖：

當(dāng)集電極被施加一個反向電壓時， J1 就會受到反向偏壓控制，耗盡層則會向N-區(qū)擴(kuò)展。因過多地降低這個層面的厚度，將無法取得一個有效的阻斷能力，所以，這個機(jī)制十分重要。

另一方面，如果過大地增加這個區(qū)域尺寸，就會連續(xù)地提高壓降。 第二點(diǎn)清楚地說明了NPT器件的壓降比等效(IC 和速度相同) PT 器件的壓降高的原因。

當(dāng)柵極和發(fā)射極短接并在集電極端子施加一個正電壓時，P/N J3結(jié)受反向電壓控制。此時，仍然是由N漂移區(qū)中的耗盡層承受外部施加的電壓。

IGBT在集電極與發(fā)射極之間有一個寄生PNPN晶閘管，如圖1所示。在特殊條件下，這種寄生器件會導(dǎo)通。

這種現(xiàn)象會使集電極與發(fā)射極之間的電流量增加，對等效MOSFET的控制能力降低，通常還會引起器件擊穿問題。

晶閘管導(dǎo)通現(xiàn)象被稱為IGBT閂鎖，具體地說，這種缺陷的原因互不相同，與器件的狀態(tài)有密切關(guān)系。通常情況下，靜態(tài)和動態(tài)閂鎖有如下主要區(qū)別：

當(dāng)晶閘管全部導(dǎo)通時，靜態(tài)閂鎖出現(xiàn)。 只在關(guān)斷時才會出現(xiàn)動態(tài)閂鎖。這一特殊現(xiàn)象嚴(yán)重地限制了安全操作區(qū) 。

為防止寄生NPN和PNP晶體管的有害現(xiàn)象，有必要采取以下措施： 防止NPN部分接通，分別改變布局和摻雜級別。 降低NPN和PNP晶體管的總電流增益。

此外，閂鎖電流對PNP和NPN器件的電流增益有一定的影響，因此，它與結(jié)溫的關(guān)系也非常密切；在結(jié)溫和增益提高的情況下，P基區(qū)的電阻率會升高，破壞了整體特性。

因此，器件制造商必須注意將集電極最大電流值與閂鎖電流之間保持一定的比例，通常比例為1：5。

參考資料來源：